?中國三大存儲芯片企業(yè)預(yù)計(jì)下半年試產(chǎn)

    原標(biāo)題：中國三大存儲芯片企業(yè)預(yù)計(jì)下半年試產(chǎn)，明年將是存儲芯片生產(chǎn)元年

　　中興被美國切斷核心部件、軟件和技術(shù)供應(yīng)一事，引發(fā)社會對中國芯片行業(yè)的熱切關(guān)注。

　　產(chǎn)業(yè)研究分析機(jī)構(gòu)集邦科技（TrendForce）4月19日指出，中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)目前以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注于移動存儲芯片的合肥長鑫以及致力于普通存儲芯片的晉華集成三大企業(yè)為主。以目前三家廠商的進(jìn)度來看，試產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì)將在2018年下半年，量產(chǎn)時(shí)間可能都在2019年上半年，這預(yù)示著2019年將成為中國存儲芯片生產(chǎn)元年。

　　集邦科技旗下的存儲芯片研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange表示，從這三大企業(yè)目前布局進(jìn)度來看，合肥長鑫的廠房已于去年6月封頂完工，去年第三季開始搬入測試用機(jī)臺。合肥長鑫目前進(jìn)度與晉華集成大致相同，計(jì)劃將在今年第三季試產(chǎn)，量產(chǎn)則暫定在2019年上半年，進(jìn)程比預(yù)期延后。此外，由于合肥長鑫直接進(jìn)攻三大DRAM廠（三星、SK海力士和美光）最重要產(chǎn)品之一的LPDDR4 8Gb，后續(xù)面臨專利爭議的可能性較高，為避免這一狀況，除了積極積累專利之外，初期可能將鎖定在中國市場銷售。

　　反觀專注于普通存儲芯片的晉華集成，在2016年7月宣布在福建省晉江市建設(shè)12英寸晶元廠，投資金額約53億美元，以目前進(jìn)度來看，其普通存儲芯片的試產(chǎn)延后至今年第三季度，計(jì)劃在明年上半年量產(chǎn)。

　　此外，從中國廠商N(yùn)AND Flash的發(fā)展進(jìn)程來看，2016年12月底，由長江存儲主導(dǎo)的國家存儲器基地正式動工，計(jì)劃分三個(gè)階段，共建三座3D-NAND Flash廠房。第一階段的廠房已去年9月完成建設(shè)，預(yù)計(jì)2018年第三季度開始搬入機(jī)臺，第四季進(jìn)行試產(chǎn)，初期投片量不超過1萬片，用于生產(chǎn)32層3D-NAND Flash產(chǎn)品，并預(yù)計(jì)在自家的64層技術(shù)成熟后，再視情況擬定第二、第三期的生產(chǎn)計(jì)劃。

　　DRAMeXchange指出，觀察中國存儲芯片廠商的研發(fā)與產(chǎn)出計(jì)劃，2019年將是中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)元年，但也由于兩家DRAM廠預(yù)估初期量產(chǎn)規(guī)模并不大，短期難以撼動全球市場現(xiàn)有格局。無論是DRAM還是NAND產(chǎn)品，各家都是初試啼聲，相比耕耘多年的存儲芯片大廠面臨更多挑戰(zhàn)，因此也不排除中國存儲芯片廠量產(chǎn)時(shí)間比預(yù)期延后的可能性。

　　長期來看，隨著中國存儲芯片產(chǎn)品逐步成熟，預(yù)計(jì)2020-2021年兩家DRAM廠商現(xiàn)有工廠將逐步滿產(chǎn)，在最樂觀的預(yù)估下，屆時(shí)兩家合計(jì)約有每月25萬片的投片規(guī)模，可能將開始影響全球DRAM市場的供給。另一方面，長江存儲計(jì)劃設(shè)有三座廠房，總產(chǎn)能可能高達(dá)每月30萬片，不排除長江存儲完成64層產(chǎn)品開發(fā)后，可能將進(jìn)行大規(guī)模的投產(chǎn)，進(jìn)而在未來三到五年對NAND Flash的供給產(chǎn)生重大影響。