?國(guó)家存儲(chǔ)器基地建設(shè)再加速 “中國(guó)芯”將在武漢面世

    長(zhǎng)江網(wǎng)4月14日訊(長(zhǎng)江日?qǐng)?bào)記者 邵瀾) 武漢國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目邁出重要一步，正式從工程建設(shè)轉(zhuǎn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段。11日，市長(zhǎng)萬(wàn)勇在國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)搬入活動(dòng)上強(qiáng)調(diào)，要以習(xí)近平新時(shí)代中國(guó)特色社會(huì)主義思想為指導(dǎo)，堅(jiān)決貫徹黨中央、國(guó)務(wù)院和省委省政府決策部署，加快推進(jìn)國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目建設(shè)和技術(shù)攻關(guān)，讓“中國(guó)芯”在武漢越做越大、越做越強(qiáng)。

　　2016年7月，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目花落武漢，承擔(dān)著中國(guó)集成電路閃存芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)?；l(fā)展“零”的突破、改變我國(guó)通用存儲(chǔ)器全部依賴(lài)進(jìn)口被動(dòng)局面的重大使命。去年9月，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目提前封頂，此次芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)進(jìn)場(chǎng)安裝后，年內(nèi)有望產(chǎn)出我國(guó)首批擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片。

　　萬(wàn)勇說(shuō)，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)搬入，是“中國(guó)芯”的一大步，也是“新武漢造”的一大步。建設(shè)國(guó)家存儲(chǔ)器基地的過(guò)程，是武漢勇?lián)鷩?guó)家使命、推進(jìn)制造強(qiáng)國(guó)的過(guò)程，武漢一直在為圓國(guó)家存儲(chǔ)器基地的美夢(mèng)而不懈努力。

　　事非經(jīng)歷不知難。萬(wàn)勇與現(xiàn)場(chǎng)嘉賓分享了國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目從爭(zhēng)取建設(shè)、洽談項(xiàng)目、會(huì)商合作，到選址建設(shè)、廠房封頂、研發(fā)產(chǎn)品等多個(gè)重要時(shí)刻的所見(jiàn)所感，引發(fā)了現(xiàn)場(chǎng)與會(huì)人員的強(qiáng)烈共鳴。他說(shuō)，正是這一路走來(lái)的一個(gè)個(gè)精彩場(chǎng)景，成就了當(dāng)天機(jī)臺(tái)搬入這一激動(dòng)人心的時(shí)刻。